珠海智融宣布旗下氮化镓直驱控制器SW1106商用

　　氮化镓GaN作为第三代半导体材料，近年来在消费电力市场得到了广泛的应用。特别是随着各大手机的推出，笔电品牌纷纷进入氮化镓快速充电市场，进一步验证了氮化镓功率装置的性能，加速了氮化镓技术在快速充电市场的普及。

　　氮化镓技术的成熟为快速充电电源市场的更新和迭代注入了能量。根据充电头网络的不完整统计，目前市场上除了少数内置驱动电路外GaN除了功率器件对外部驱动器的要求较低外，其余大多数GaN电源设备均为单管设计，应用时需采用外驱电路。

　　在内置驱动电路设计的帮助下，氮化镓直驱控制器允许氮化镓直驱控制器GaN在应用中，以节省驱动电路，简化外围电路设计，提高供电产品的功率密度，在氮化镓技术的快速普及中发挥重要作用。

　　纵观目前的市场，大规模生产的氮化镓直驱控制器大多是国外厂商的产品，客户的选择非常有限，也蕴含着巨大的商机。近日，珠海智荣科技推出氮化镓直驱控制芯片SW1106，致力于实现氮化镓直驱控制器的国产化替代，以下充电头网为您介绍这款新产品的亮点。

　　智融SW1106登场

　　智融SW1106是一种支持增强型氮化镓开关管直驱的高频反激准谐振控制器，芯片内部集成700V高压启动电路和X电容器放电功能。同时，内部集成氮化镓驱动器，驱动电压为6V，增强型氮化镓开关管可直接驱动。

　　智融SW1106采用SSOP-10封装，运行在带谷底锁定的谷底开启工作模式，集成频率抖动功能优化EMI性能，支持应急模式。供电采用双重供电。VDD供电设计，输出电压USBPD减少控制器在宽输出场合的功率损耗，支持氮化镓快速充电、充电器和开关电源的应用。

　　智融SW1106内部综合输入电压保护、供电过压保护、输出过压保护、循环电流限制、过载保护、输出过流保护、电流取样电阻开路和短路保护、芯片内置过热保护，支持外部热敏电阻进行设备过热保护，具有综合保护功能。

　　充电头网总结

　　由于氮化镓器件比传统硅器件开关更快，通态电阻（RDS-on）与传统硅器件相比，它具有无与伦比的高转换效率和低发热特性，如也成为氮化镓取代传统硅器件的重要原因，使氮化镓成为未来功率器件的主流发展方向。

　　逐渐庞大的氮化镓快速充电市场和丰富的氮化镓功率设备对控制器和驱动器的需求很大。为此，越来越多的国内电源芯片制造商推出了内置驱动主控制，将驱动器集成到主控制芯片中，可以直接驱动GaN一方面精简了外围电路设计，提高了产品稳定性，节约了成本。

　　智融SW1106氮化镓直接驱动控制器的推出，一方面实现了氮化镓控制器的定位替代，为氮化镓快速充电提供了新的解决方案。另一方面，它还丰富了快速充电源的产品线，实现了初级芯片供应，简化了采购过程。